IRFB4020PBF vs IRF3205STRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB4020PBF מאת Infineon ו IRF3205STRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFB4020PBF | IRF3205STRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (advanced process) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | 175 C (max) | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole) | TO-263-3 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 110 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 390 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 8 mΩ max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 97.3 nC typical |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 200 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (STRL) |