ISZ056N03LF2SATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ056N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ056N03LF2SATMA1 BSZ0901NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 OptiMOS 25V
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
מארז PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
מספר פינים — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר