ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ056N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו ISC015N06NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | ISZ056N03LF2SATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| מארז | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |