ITS4200SMEOHUMA1 vs BTS51202EKAXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ITS4200SMEOHUMA1 מאת Infineon ו BTS51202EKAXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1 - 700mA Smart High-Side Switch | Infineon

ITS4200SMEOHUMA1 - 700mA Smart High-Side Switch | Infineon

ITS4200SMEOHUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ITS4200SMEOHUMA1 BTS51202EKAXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Status Active —
פונקציה High-Side Switch —
טופולוגיה 1:1 N-Channel Dual High-Side Switch (2 channels)
תצורת מוצא High Side —
מספר יציאות 1 —
זרם מוצא מקסימלי 700 mA —
On-State Resistance (Typ) 150 mOhm —
מתח אספקה פעיל 5 V to 45 V nominal (load-dump tolerant) —
Input Type CMOS-compatible, current-controlled —
Fault Protection Current Limiting (Fixed), Over-Temperature, Over-Voltage, Short Circuit, Ground Loss —
Operating Temperature (TJ) -40C to +125C —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT223-4 (3 leads + tab) —
Automotive Qualification Not qualified for automotive / transportation applications (Industrial grade) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Technology — Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Number of Channels — 2
On-State Resistance (RDS(on)) — 120 mΩ (typical per channel)
Continuous Output Current — 2 A per channel (typical 2.5 A)
Operating Voltage (Vbb) — 8 V to 18 V
Load Type — Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads
מארז — PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad)
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +150 °C
Maximum Power Dissipation — 1800 mW
Integrated Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery
Diagnostic Output — Yes (status feedback pin)
Charge Pump — Integrated
Automotive Qualified — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר