K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BCH90 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BHMA מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BCH90 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BCH90 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 32M x 16 |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +85°C |
| השהיית CAS | 13 (at 1866 Mbps) | 9-14 clocks (programmable) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |