MPX2102D vs MPX5010DP השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX2102D מאת NXP Semiconductors ו MPX5010DP מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MPX2102D - 100kPa Differential Pressure Sensor | NXP | 4-SIP Module
MPX2102D Obsoleteהשוואת מפרטים
| פרמטר | MPX2102D | MPX5010DP |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | פעיל |
| Operating Pressure | 14.5 PSI (100 kPa) | — |
| Pressure Type | Differential | Differential |
| סוג פלט | Wheatstone Bridge (Analog Voltage) | Analog, ratiometric |
| מתח פלט | 0 mV to 40 mV (at 10 V supply) | — |
| מתח אספקה | 10 V typical | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| מארז / Case | 4-SIP Module | — |
| Port Size | Female, 0.136 in (3.4544 mm) | — |
| Termination Style | Through-Hole PCB | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through-hole (SIP) |
| Applications | Board Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C (per NXP MPX2102 series datasheet) | 0 C to +85 C (compensated) |
| Compensated Temperature | 0 C to +85 C | — |
| Housing / Body Style | Unibody Plastic (Round) | — |
| Technology | Piezoresistive Silicon MEMS | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| Series | MPX2102 | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Obsolete (per distributor listings) | — |
| Operating Pressure Range | — | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | — | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| טווח מתח פלט | — | 0.2 V to 4.7 V |
| זרם אספקה | — | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| מארז | — | 6-SIP Module |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |