MPXV10GC6U vs MPX10D השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MPXV10GC6U מאת NXP Semiconductors ו MPX10D מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MPX10D - 10 kPa Uncompensated Pressure Sensor | NXP / STMicroelectronics
MPX10D ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MPXV10GC6U | MPX10D |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 psi) |
| Maximum Overpressure | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] | — |
| סוג פלט | Analog Wheatstone Bridge (uncompensated) | Analog differential voltage (Wheatstone bridge) |
| מתח פלט | 0 mV to 35 mV at 3 V excitation | — |
| Supply Voltage (Excitation) | 3 V (typical, ratiometric) | — |
| Sensitivity | [DATA_NEEDED: mV/kPa sensitivity] | approximately 3.5 mV / kPa |
| Port Style | Top-side tube, 0.13" (3.18 mm) diameter | — |
| מארז / Case | 8-SMD, Gull Wing (SO-8) | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | Silicon piezoresistive MEMS | Silicon piezoresistive (MEMS strain gauge) |
| Compensation | Uncompensated (external required) | Uncompensated (external conditioning required) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through-Hole (single port on top) |
| Body Dimensions | 10.67 mm x 10.67 mm x 12.96 mm | — |
| Pitch | 2.54 mm | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Full-Scale Span | — | 35 mV typical at 3 V supply |
| מתח אספקה | — | 3 V typical |
| Offset | — | [DATA_NEEDED: typical offset value] |
| Linearity | — | [DATA_NEEDED: typical linearity %FS] |
| מארז | — | 4-SIP Module (case 344-15) |
| Port Configuration | — | Single side port, differential measurement |