MT25QL01GBBB8E12-0AUT vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT25QL01GBBB8E12-0AUT מאת Micron Technology ו MT25QL02GCBB8E12-0AUT מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT25QL01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL01GBBB8E12-0AUT ✓ פעילMicron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT25QL01GBBB8E12-0AUT | MT25QL02GCBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | EEPROM | Flash |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash - Serial SPI | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Density | 1 Gbit (128 MB) | — |
| ארגון | 256M x4 (DDP) | 256M x 8 |
| מתח אספקה | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Max Clock Frequency | 133 MHz | — |
| ממשק | SPI - Single/Dual/Quad I/O | SPI, Dual SPI, Quad I/O |
| Sector Erase Sizes | 4 KB / 32 KB / 64 KB | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | -40C to +125C |
| מארז | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| FBGA Code | RW319 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA reflow) | Surface Mount |
| Addressing | 3-byte / 4-byte extended address | — |
| XIP Support | Yes (execute-in-place) | — |
| Write Protection | Advanced write protection mechanisms | — |
| AEC-Q100 | Qualified (automotive, -0AUT suffix) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| SLC Cell Type | SLC NOR | — |
| Memory Capacity | — | 2 Gbit (256 MB) |
| תדר שעון מקסימלי | — | 133 MHz |
| Programming Voltage | — | 3 V |
| Endurance | — | 100000 write/erase cycles |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive) |
| תכונות | — | XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access |
| Marking Code | — | RW340 |
| Supply Voltage Class | — | 3 V (MT25QL series) |
| Access Protocol Support | — | Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI |