SI8273ABD vs UCC21750DW השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של SI8273ABD מאת Skyworks Solutions ו UCC21750DW מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Skyworks Solutions
SI8273ABD SI8273ABD - 4A Isolated Gate Driver, 2.5kV, 16-SOIC | Skyworks

SI8273ABD - 4A Isolated Gate Driver, 2.5kV, 16-SOIC | Skyworks

SI8273ABD ✓ פעיל
Texas Instruments
UCC21750DW UCC21750DW - ±10A 5.7kVrms Isolated SiC/IGBT Gate Driver | TI

UCC21750DW - ±10A 5.7kVrms Isolated SiC/IGBT Gate Driver | TI

UCC21750DW ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר SI8273ABD UCC21750DW
מותג Skyworks Solutions Texas Instruments
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Isolated gate driver —
Number of Channels 2 1
Peak Output Current 4 A —
Isolation Voltage (Withstand) 2.5 kVrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum [DATA_NEEDED: CMTI minimum V/ns]
Propagation Delay 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: tPD typical/max ns]
Driver Supply Voltage (VDD) 4.2 V to 30 V —
Input Logic Levels TTL-compatible, 2.5 V to 5 V —
Input Hysteresis >400 mV —
UVLO Threshold 5 V —
Isolation Technology Proprietary silicon (capacitive) isolation —
מארז 16-pin SOIC (NB), narrow body SOIC-16 (DW) wide-body
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
UL1577 Rated Yes (2.5 kVrms) —
Product Type — Single-channel isolated gate driver
Target Technology — SiC MOSFET / IGBT
Peak Output Current (Source/Sink) — ±10 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kVrms
Isolation Type — Capacitive coupling (reinforced)
Maximum DC-Link Operating Voltage — 2121 V
מספר פינים — 16
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
DESAT Short-Circuit Protection — Yes (programmable threshold)
Internal Miller Clamp — Yes
Isolated Analog Sensing Output — Yes
UVLO (Primary + Secondary) — Yes
Soft Turn-Off on Fault — Yes
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר