10M08DAF256C7G vs 10M08DCF256C8G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 10M08DAF256C7G द्वारा Intel और 10M08DCF256C8G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 10M08DAF256C7G | 10M08DCF256C8G |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | MAX 10 | — |
| Logic Elements (LE) | 8,000 | — |
| Embedded Memory (M9K blocks) | 46 (378 Kbits) | — |
| User Flash Memory | 387,072 bits (approx. 48 KB) | — |
| Maximum User I/O | 178 | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 °C to +85 °C (Commercial, "C" grade) | 0C to +85C (commercial) |
| पैकेज | 256-pin LBGA (F256) | 256-LBGA (F256, FineLine BGA) |
| Package Dimensions | 17 mm × 17 mm, 1.0 mm ball pitch | — |
| On-chip ADC | 12-bit, 1 MSPS, 1 channel | — |
| PLLs | 2 | 2 |
| 18 × 18 Multipliers | 24 | — |
| Configuration | Dual-configuration internal flash (D-series) | Internal flash (instant-on, non-volatile) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free "G" suffix) | Compliant |
| Process Technology | [DATA_NEEDED: process node, typically 55 nm embedded flash] | TSMC 55 nm embedded flash CMOS |
| Internal Oscillator | Yes (on-chip) | — |
| Series | — | MAX 10 |
| Logic Elements | — | 8,000 |
| Embedded Memory (bits) | — | 387,072 (378 Kbits user flash + block SRAM) |
| User I/O Count | — | 178 |
| Pitch | — | 1.0 mm |
| Speed Grade | — | C8 (commercial, slowest speed bin) |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (per bank) |
| ADC | — | Dual 12-bit SAR, up to 17 analog inputs |
| 18x18 Multipliers | — | 8 |
| Global Clock Networks | — | 4 |
| Design Software | — | Intel Quartus Prime (Lite / Standard / Pro) |
| MSL स्तर | — | 3 (168 hours) |