2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDB7259KXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EDL5013U2DXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDB7259KXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDB7259KXUMA1 2EDB7259KXUMA1 - Dual 5A/9A Isolated Gate Driver 13-LGA | Infineon

2EDB7259KXUMA1 - Dual 5A/9A Isolated Gate Driver 13-LGA | Infineon

2EDB7259KXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2EDL5013U2DXTMA1 2EDB7259KXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 2
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) 13-LGA (5x5 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver IC
Source Drive Current — 5 A
Sink Drive Current — 9 A
Isolation Voltage — 2500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay — 38 ns
सप्लाई वोल्टेज — 12 V to 18 V
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
Technology — Coreless Transformer Isolation
Protection Features — UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp
Output Stage — Rail-to-rail p-channel sourcing

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध