BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC014NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC018N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC014NE2LSIATMA1 | BSC018N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +150 °C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | — | 2.5 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| JEDEC Qualification | — | Yes (qualified per JEDEC for target applications) |