BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC018N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC027N10NS5ATMA1 BSC018N04LSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) MOSFET (Metal Oxide)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
पैकेज PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55°C to +150°C (TJ)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free plating)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 30 A
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

डेटाशीट और संसाधन

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