BSC059N04LS6ATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC059N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N06S5L032ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC059N04LS6ATMA1 | IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) | OptiMOS 5 Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | 59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 5.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Total Power Dissipation at TC=25C | 38 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55 C to +175 C (T_j) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 38 A at TC=25C | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 236 A at TC=25C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (60 V) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 120 A |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | — | 3.2 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | — | 94 W |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] |