BSC059N04LS6ATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC059N04LS6ATMA1 מאת Infineon ו IAUC120N06S5L032ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC059N04LS6ATMA1 | IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) | OptiMOS 5 Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | 59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 5.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Total Power Dissipation at TC=25C | 38 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55 C to +175 C (T_j) |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 38 A at TC=25C | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 236 A at TC=25C | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (60 V) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 120 A |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | — | 3.2 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | — | 94 W |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] |