BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC060N10NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC047N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC060N10NS3GATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 125 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss value] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |