BSC120N03LSGATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC120N03LSGATMA1 द्वारा Infineon और BSC036NE7NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC120N03LSGATMA1 - 30V 39A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC120N03LSGATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC120N03LSGATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 39 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 400 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 12 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 28 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |