BSC120N03LSGATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC036NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC120N03LSGATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 400 A
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55C to +175C
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant ROHS3 Compliant
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں