BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC123N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC042NE7NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC123N08NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single with built-in body diode —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) 55 A —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) 11 A —
Maximum Pulsed Drain Current [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V 12.3 mOhm —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc) 66 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
पैकेज PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS स्थिति Compliant with exemption Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C

डेटाशीट और संसाधन

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