BSZ070N08LS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ070N08LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC052N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ070N08LS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +150 °C -55C to +150C
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) 1 (unlimited)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध