CY14V104LA-BA25XIT vs CY14V104LA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना CY14V104LA-BA25XIT द्वारा Infineon और CY14V104LA द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
CY14V104LA-BA25XIT CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT ✓ सक्रिय
Infineon
CY14V104LA CY14V104LA - 4Mb Parallel nvSRAM 3.3V 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA - 4Mb Parallel nvSRAM 3.3V 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर CY14V104LA-BA25XIT CY14V104LA
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार nvSRAM (non-volatile SRAM) Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
मेमोरी आकार 4 Mbit —
संगठन 512K x 8 —
Access Time 25 ns 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45)
इंटरफ़ेस Parallel Parallel (asynchronous SRAM-compatible)
Core Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
I/O Supply Voltage (VCCQ) 1.65 V to 1.95 V —
STORE Cycles 1 million —
Data Retention 20 years [DATA_NEEDED: retention years]
Read/Write/RECALL Cycles Infinite —
AutoStore Yes (external VCAP 61 uF to 180 uF) —
Non-volatile Technology QuantumTrap —
पैकेज 48-FBGA (6x10 mm), TFBGA 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Density — 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16)
Operating Voltage — 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max)
Bus Width — x8 / x16 selectable (BYTE pin)
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +85 C (industrial)
STORE Time (typical) — [DATA_NEEDED: STORE time in ms]
RECALL Time (typical) — [DATA_NEEDED: RECALL time in ms]
Active Supply Current (Icc) — [DATA_NEEDED: Icc active mA]
Standby Current (Isb) — [DATA_NEEDED: Isb uA]
Hardware STORE Pin — HSB (active low)
Auto STORE on VCC Drop — Yes (integrated VCc monitor)
Read/Write Endurance — Unlimited (SRAM side)

डेटाशीट और संसाधन

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