EP1M120F484-I6 vs EP1M120F484C8ES तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1M120F484-I6 द्वारा Altera और EP1M120F484C8ES द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP1M120F484-I6 EP1M120F484C8ES
ब्रांड Altera Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND Obsolete
Family Mercury FPGA ACEX 1M
Logic Elements (LEs) 4,800 —
Equivalent Gates 120,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 480 —
User I/Os 303 —
High-Speed Transceivers Up to 12 channels —
Transceiver Data Rate Up to 1.25 Gbps per channel —
Core Voltage 1.8 V —
Process Technology 0.18 µm CMOS 0.18 µm CMOS, SRAM-based
पैकेज 484-pin FBGA (FineLine BGA) 484-ball FineLine BGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (BGA)
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +100 °C (industrial) [DATA_NEEDED: industrial/commercial grade temp range]
Speed Grade -6 C8 (-8 speed bin)
Configuration Modes Passive Serial, Passive Parallel Sync/Async, JTAG, EPC device —
I/O Standards LVTTL, LVCMOS, PCI, LVDS, LVPECL, HSTL LVTTL, LVCMOS, True-LVDS, PCI
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements / Gates — 120,000 (120K gates)
Embedded Logic Cells (EABs) — 4,800
User I/O Pins — 303
Sample Grade — ES (Engineering Sample)
Embedded RAM — ~104 Kbits across 12 RAM blocks
PLLs — 4 enhanced PLLs
Operating Voltage (Core) — [DATA_NEEDED: core VCC range]
MultiVolt I/O Support — 1.5 V / 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant
Configuration Method — SRAM bitstream, JTAG/serial
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED]

डेटाशीट और संसाधन

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