EP1M120F484C6N vs EP1M120F484C6ES तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1M120F484C6N द्वारा Intel और EP1M120F484C6ES द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1M120F484C6N | EP1M120F484C6ES |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | Obsolete |
| Family | Mercury (APEX PLD platform) | Mercury (Altera / Intel) |
| Typical Gates | 120,000 | — |
| Logic Cells / Elements | 4,800 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 480 | 480 |
| User I/Os | 303 | — |
| पैकेज | 484-ball FC-FBGA (FineLine BGA) | 484-ball FC-FBGA |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.71 V to 1.89 V (1.8 V nominal) | — |
| Transceiver Data Rate | Up to 1.25 Gbps with CDR | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to 85C (commercial) | [DATA_NEEDED: commercial / industrial / military grade] |
| Process Technology | CMOS | — |
| Architecture | LUT-based, optimized for high-speed interconnect | — |
| MultiCore Support | Yes (hot socketing) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| MSL स्तर | 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: per specific lot] |
| System Gates | — | 120,000 |
| Logic Elements / Cells | — | 4,800 |
| Embedded Memory (bits) | — | 49,152 |
| Maximum User I/O | — | 303 |
| Core Supply Voltage | — | 1.8 V |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS (1.5/1.8/2.5/3.3 V) |
| Configuration Technology | — | SRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | 6 (-6) |
| JTAG / Boundary Scan | — | Yes (IEEE 1149.1) |
| Part Status | — | Obsolete / last-time-buy (ES suffix = engineering sample) |