EP1M120F484C7ES vs EP1M120F484C8ES तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1M120F484C7ES द्वारा Intel और EP1M120F484C8ES द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Intel
EP1M120F484C7ES EP1M120F484C7ES - 120K LE Mercury FPGA, 484-FBGA | Intel

EP1M120F484C7ES - 120K LE Mercury FPGA, 484-FBGA | Intel

EP1M120F484C7ES ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP1M120F484C7ES EP1M120F484C8ES
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
Family Mercury (EP1M) ACEX 1M
Logic Elements 120,000 —
Logic Cells / LABs 49,152 logic cells / 4,800 LABs —
User I/O Pins 303 303
पैकेज 484-ball FCBGA / FineLine BGA 484-ball FineLine BGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Speed Grade C7 C8 (-8 speed bin)
Operating Temperature Grade ES (engineering sample / extended screen) —
Integrated Transceivers Yes - high-speed differential with CDR —
Configuration Method SRAM-based, volatile (requires config device) SRAM bitstream, JTAG/serial
On-chip Memory Block RAM + distributed RAM (consult Mercury datasheet for total bits) —
DSP Blocks Hardware multiplier/accumulator blocks (consult Mercury datasheet for count) —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED]
Lead-Free Yes —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level from manufacturer datasheet] —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements / Gates — 120,000 (120K gates)
Embedded Logic Cells (EABs) — 4,800
Sample Grade — ES (Engineering Sample)
Process Technology — 0.18 µm CMOS, SRAM-based
Embedded RAM — ~104 Kbits across 12 RAM blocks
PLLs — 4 enhanced PLLs
I/O Standards — LVTTL, LVCMOS, True-LVDS, PCI
Operating Voltage (Core) — [DATA_NEEDED: core VCC range]
MultiVolt I/O Support — 1.5 V / 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: industrial/commercial grade temp range]

डेटाशीट और संसाधन

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