EP1S30F780C6 vs EP1S30F780C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1S30F780C6 द्वारा Altera और EP1S30F780C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1S30F780C6 | EP1S30F780C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Altera | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | अंतिम बार खरीदें |
| Series | Stratix (1st Generation) | Stratix (EP1S) |
| Family | Stratix | Stratix |
| Logic Elements (LEs) | 32,470 | 32,470 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 3,247 | — |
| Maximum User I/Os | 597 | — |
| Process Technology | 0.13 μm all-layer copper SRAM | 130 nm CMOS |
| Core Voltage | 1.5 V | — |
| DSP Blocks | Up to 28 | — |
| Embedded Multipliers | Up to 224 (9-bit × 9-bit) | — |
| On-chip Memory | TriMatrix (M512, M4K, M-RAM blocks) | — |
| पैकेज | 780-ball FCBGA (FineLine BGA), 29 mm × 29 mm, 1 mm pitch | 780-ball FC-FBGA (FineLine BGA), 29 × 29 mm, 1 mm pitch |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 °C to 85 °C (commercial) | 0 °C to +85 °C (Commercial) |
| Configuration | SRAM-based (passive serial, fast passive parallel, JTAG) | SRAM-based, JTAG / Passive Serial / Passive Parallel |
| Speed Grade | C6 (commercial, speed grade 6) | C8 (-8, faster bin) |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per distributor listings) |
| Embedded Memory (RAM bits) | — | 3,317,184 |
| Total Memory Bits | — | 3,317,184 |
| User I/Os | — | 597 |
| LABs (Logic Array Blocks) | — | 3,247 |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.5 V |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |