EP2A15B652C9 vs EP2A15F672C7AA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP2A15B652C9 द्वारा Intel और EP2A15F672C7AA द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP2A15B652C9 | EP2A15F672C7AA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | अंतिम बार खरीदें |
| Family | APEX II | APEX II |
| Logic Elements | 15,600 | — |
| Embedded System Blocks | 425 Kbits | — |
| Number of DLLs/PLLs | 4 PLUs | — |
| Core Voltage | 1.5 V | 1.5 V |
| I/O Voltage Standards | 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V (LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL) | — |
| Speed Grade | -9 (fastest APEX II commercial) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (commercial) | — |
| पैकेज | 652-ball FineLine BGA | 672-ball FC-FBGA (flip-chip) |
| Configuration Method | SRAM-based, JTAG 1149.1 boundary scan | — |
| Programming File Format | .pof / .sof (Quartus) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | — |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per Full-Electronic listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete - new design not recommended | — |
| Typical Gates | — | 600K |
| Maximum System Gates | — | 1.4M |
| Logic Elements (LEs) | — | 16,640 |
| Maximum User I/O | — | 492 |
| Operating Frequency (internal) | — | 500 MHz |
| LVDS Data Rate | — | 1 Gbps True-LVDS |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, PCI, PCI-X, SSTL, HSTL, LVDS, LVPECL, PCML, HyperTransport |
| MultiVolt I/O Bank Voltages | — | 1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.3V |
| Embedded Memory | — | Dual-port RAM blocks + CAM blocks |
| PLLs | — | 4 enhanced PLLs |
| Process Technology | — | 0.15 micrometer all-layer copper (up to 8 metal layers) |
| Programming Interfaces | — | Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG (IEEE 1149.1) |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| Lifecycle | — | Last-Time-Buy / EOL announced Nov-Dec 2016 |