EP2C50U484C8N vs EP2C50U484C6 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP2C50U484C8N द्वारा Intel और EP2C50U484C6 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP2C50U484C8N | EP2C50U484C6 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Series | Cyclone II | — |
| Family | Cyclone II (90 nm) | Cyclone II |
| Logic Elements (LE) | 50,528 | — |
| Embedded Memory (M4K blocks) | 594,432 bits (129 M4K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 86 | 86 |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/Os | 294 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| Speed Grade | C8 (commercial, mid-tier) | C6 (commercial, -6) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| पैकेज | 484-ball FBGA (UBGA-484) | 484-ball FineLine BGA (U484), 19x19 mm, 1.0 mm pitch |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Process Technology | 90 nm low-k CMOS | 90 nm CMOS SRAM |
| Configuration Methods | Passive Serial, Active Serial, JTAG | — |
| Memory Interface Support | DDR, DDR2, SDR SDRAM, QDRII SRAM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free) | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Logic Elements | — | 50,528 |
| Embedded Memory (bits) | — | 594,432 |
| M4K RAM Blocks | — | 250 |
| Maximum User I/O | — | 294 |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Configuration Method | — | AS, PS, JTAG |