EP3CLS100F780C7 vs EP3C120F780C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3CLS100F780C7 द्वारा Intel और EP3C120F780C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3CLS100F780C7 | EP3C120F780C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone III LS | Cyclone III |
| Logic Elements (LEs) | 100,448 | — |
| Total RAM Bits | 4,451,328 | — |
| Embedded Memory | M9K blocks (488 total, 4,451,328 bits) | 3981312 bit |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | — |
| Maximum User I/O Pins | 413 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | [DATA_NEEDED: exact LAB count for EP3CLS100] | — |
| पैकेज | 780-ball FineLine BGA (FBGA-780) | — |
| Package Dimensions | 29 mm x 29 mm | 23 mm x 23 mm |
| Ball Pitch | 1.0 mm | 1 mm |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | — |
| Configuration Modes | Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG | — |
| Bitstream Encryption | AES-128 (Cyclone III LS security feature) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 0C to +85C (commercial, 'C' grade) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free FBGA) | — |
| Speed Grade | 7 (C7) | — |
| Device Type | — | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| Logic Elements | — | 119088 |
| User I/O Count | — | 531 |
| ऑपरेटिंग सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Maximum Internal Frequency | — | 402 MHz |
| Alternate Listed Internal Frequency | — | 472 MHz |
| Package Type | — | FBGA-780 |
| Package Height | — | 2.60 mm |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Ordering Status | — | Buy now, ships today |
| Compliance | — | [DATA_NEEDED: compliance and environmental certifications] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Configuration Memory Type | — | [DATA_NEEDED: configuration memory technology] |