EP3SE260H780C4L vs EP3SE260H780C4LN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C4L द्वारा Intel और EP3SE260H780C4LN द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260H780C4L | EP3SE260H780C4LN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | अंतिम बार खरीदें |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| LABs/CLBs | 10,200 | — |
| Total RAM Bits | 16,672,768 (16.7 Mbit) | — |
| User I/O Count | 488 | 488 |
| पैकेज | 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm) | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) |
| Speed Grade | C4 (middle/slow tier) | C4 (commercial, moderate speed) |
| Core Voltage | 0.9 V (nominal) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 0C to +85C (commercial) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (flip-chip BGA) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 3 (168 hours) |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free per datasheet) | Compliant |
| Transceivers | Up to 24 multi-gigabit transceivers | — |
| Memory Interface | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers | — |
| Configuration Mode | PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ | — |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 384 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C (commercial) |
| Core Voltage (VCC) | — | 1.0 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) |
| Auxiliary Voltage (VCCPD/VCCPT) | — | 2.5 V / 3.0 V |
| PLLs | — | 8 |
| Global Clock Networks | — | 16 |
| Process Node | — | 40 nm TSMC |
| Configuration Modes | — | FPP, AS, PS, JTAG |