EP3SE260H780C4L vs EP3SE260H780C4LN 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE260H780C4L 제조: Intel 및 EP3SE260H780C4LN 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3SE260H780C4L | EP3SE260H780C4LN |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1,190.00 | $11,950.00 |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| LABs/CLBs | 10,200 | — |
| Total RAM Bits | 16,672,768 (16.7 Mbit) | — |
| User I/O Count | 488 | 488 |
| 패키지 | 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm) | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) |
| Speed Grade | C4 (middle/slow tier) | C4 (commercial, moderate speed) |
| Core Voltage | 0.9 V (nominal) | — |
| 동작 접합 온도 | 0C to +85C (commercial) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (flip-chip BGA) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 3 (168 hours) |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free per datasheet) | Compliant |
| Transceivers | Up to 24 multi-gigabit transceivers | — |
| Memory Interface | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers | — |
| Configuration Mode | PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ | — |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 384 |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C (commercial) |
| Core Voltage (VCC) | — | 1.0 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) |
| Auxiliary Voltage (VCCPD/VCCPT) | — | 2.5 V / 3.0 V |
| PLLs | — | 8 |
| Global Clock Networks | — | 16 |
| Process Node | — | 40 nm TSMC |
| Configuration Modes | — | FPP, AS, PS, JTAG |