EP3SE50F780C4LN vs EP3SL50F780C4LN तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F780C4LN द्वारा Intel और EP3SL50F780C4LN द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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EP3SE50F780C4LN EP3SE50F780C4LN - 47.5K LE Stratix III E FPGA 780-FBGA | Intel

EP3SE50F780C4LN - 47.5K LE Stratix III E FPGA 780-FBGA | Intel

EP3SE50F780C4LN ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE50F780C4LN EP3SL50F780C4LN
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
Family Stratix III E Stratix III L (Low-Power)
Logic Elements 47,500 —
LABs (Logic Array Blocks) 1,900 —
Embedded Memory 5,760,000 bits —
User I/Os 488 —
पैकेज 780-ball FC-FBGA 780-BBGA, FCBGA (29x29 mm)
Process Node 65 nm —
Core Voltage 0.9 V —
Speed Grade C4 C4
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to 85°C (Commercial) 0C to +85C (Commercial)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (L suffix) Yes (LN suffix indicates lead-free, enhanced)
Maximum Toggle Frequency 375 MHz —
Configuration Modes Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG —
DSP Blocks Yes (embedded multipliers) [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count for EP3SL50]
Block RAM Type M9K + M144K —
Memory Architecture SRAM-based, reprogrammable —
RoHS स्थिति Compliant —
Series — Stratix III L
Logic Elements (LE) — 47,500
Logic Array Blocks (LAB) — 1,900
Total RAM Bits — 2,184,192
User I/O Pins — 488
Process Technology — 65 nm
Core Voltage (VCCINT) — 0.86 V to 1.15 V
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Transceivers — [DATA_NEEDED: number of integrated transceivers for F780 package]
Configuration — SRAM-based, configured via Quartus II

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