EP4CE115F23C8N vs EP4CE15F23C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE115F23C8N द्वारा Intel और EP4CE15F23C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE115F23C8N | EP4CE15F23C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements | 114,480 LE | 15,408 |
| Embedded Memory | 3,981,312 bits (3.8 Mbit) | — |
| User I/O Count | 280 | — |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 432 | — |
| General-purpose PLLs | 4 | 4 |
| Process Node | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| पैकेज | 484-ball FineLine BGA (F23) | 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (Commercial) | 0C to 85C (Commercial) |
| Speed Grade | C8 | C8 (commercial, 8 ns internal timing) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Embedded Memory Bits | — | 516,096 bits (63 KBytes) |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 343 |
| Maximum User I/O Pins | — | 343 |
| Process Technology | — | 60 nm low-leakage CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V to 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Configuration Modes | — | AS / PS / JTAG / FPP |
| MSL स्तर | — | MSL3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Hard IP Blocks | — | PCIe Gen1 root port, external memory interface |
| Embedded Memory Type | — | M9K (9 Kbit each) |