EP4CE55F29I8N vs EP4CE55F29C9LN तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE55F29I8N द्वारा Altera और EP4CE55F29C9LN द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Altera
EP4CE55F29I8N EP4CE55F29I8N - Cyclone IV E FPGA, 55K LE, F29 BGA | Altera

EP4CE55F29I8N - Cyclone IV E FPGA, 55K LE, F29 BGA | Altera

EP4CE55F29I8N ✓ सक्रिय
Intel
EP4CE55F29C9LN EP4CE55F29C9LN - 55K LE Cyclone IV E FPGA, 780-FBGA | Intel

EP4CE55F29C9LN - 55K LE Cyclone IV E FPGA, 780-FBGA | Intel

EP4CE55F29C9LN ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP4CE55F29I8N EP4CE55F29C9LN
ब्रांड Altera Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Series Cyclone IV E —
Logic Elements (LEs) 55,856 —
Embedded Memory (bits) 2,396,160 —
Embedded 18x18 Multipliers 374 374
General-Purpose PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins [DATA_NEEDED: maximum user I/O count for F29 package] 374
पैकेज 780-ball FBGA (F29, 29x29 mm) 780-ball FBGA (F29)
Process Technology 60 nm low-power CMOS —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +100C (Industrial grade, suffix I) —
Supply Voltage Core 1.0 V (typical, VCCINT) —
I/O Bank Supply Voltages 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V —
Configuration Modes Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG, Fast Passive Parallel (FPP) —
External Memory Interfaces DDR, DDR2, SDR, QDRII, QDRII+ SRAM —
Differential I/O Standards LVDS, RSDS, mini-LVDS, LVPECL (receive) —
RoHS स्थिति Compliant —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LE) — 55,856
Embedded Memory — 2,396,160 bits
Logic Array Blocks (LAB) — 3,491
M9K Memory Blocks — 260
PLLs — 4
Technology Node — 60 nm
Core Voltage (VCCINT) — 1.2 V
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — 0 °C to 85 °C (commercial)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free terminal finish, suffix 'N')
Speed Grade — C9

डेटाशीट और संसाधन

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