EP4CE55U19I7N vs EP4CE40U19I7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE55U19I7N द्वारा Intel और EP4CE40U19I7N द्वारा Altera. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE55U19I7N | EP4CE40U19I7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Altera |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements | 55,856 | 39,600 |
| Embedded Memory (bits) | 2,396,160 | 1,161,216 |
| Maximum User I/O | 324 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 156 | 116 |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Process Technology | 60 nm | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V or 1.2 V | 1.0 V / 1.2 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V to 3.3 V (per bank) | — |
| पैकेज | 484-ball UBGA (Ultra FineLine BGA) | 484-FBGA (U19, 19x19 mm, 1.0 mm pitch) |
| Configuration Support | AS, PS, JTAG | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (Industrial) | -40 °C to +100 °C (Industrial, junction) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Embedded Memory (approx) | — | 144 Kbytes |
| Maximum User I/Os | — | 328 |
| I/O Standards | — | LVCMOS/LVTTL 1.2 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V |
| Process | — | 60 nm low-k |
| Configuration | — | SRAM-based (volatile, external flash required) |
| Speed Grade | — | 7 |