EP4CE75F23I7N vs EP4CE115F23I7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE75F23I7N द्वारा Intel और EP4CE115F23I7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE75F23I7N | EP4CE115F23I7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Line | Cyclone IV E | — |
| Family | Cyclone IV E (EP4CE) | EP4CE115 (F23 package) |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,713 | 7,180 |
| Embedded Memory Bits | 2,810,880 bits (312 M9K blocks) | 3,981,312 bits |
| Distributed RAM Bits | 200 Kbits | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 15 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clocks | [DATA_NEEDED: global clock network count] | — |
| Maximum User I/Os | 292 | 280 |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V nominal | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm low-power CMOS (TSMC) |
| पैकेज | 484-ball FBGA (F23, 23 mm body, 1.0 mm pitch) | 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch |
| Operating Temperature Grade | Industrial (I7: -40C to +100C Tj) | — |
| Configuration Modes | Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG | — |
| External Memory Interfaces | DDR / DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Design Software | Quartus II / Quartus Prime | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | — | 114,480 |
| Number of PLLs | — | 4 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 266 |
| Core Voltage | — | 1.0 V / 1.2 V |
| I/O Voltage Banks | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +100C (Industrial) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Active Parallel |
| MSL स्तर | — | 3 |
| Lead-Free | — | Yes |