H5AN8G8NAFR-UHC vs H5AN8G4NAFR-VKC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G4NAFR-VKC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NAFR-UHC | H5AN8G4NAFR-VKC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 2G x 4 |
| डेटा दर | 2400 Mbps/pin (PC2400) | 2666 Mbps per pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (DDR4 standard) | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | CMOS, synchronous | — |
| पैकेज | FBGA-78 (PBGA78) | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Speed Grade Suffix | UHC | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Application Class | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 19 (CL19, speed bin VK) |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 (Jul. 2017) |