H5TC4G63AFR-H9A vs H5TC4G63AFR-PBJ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-H9A द्वारा SK hynix और H5TC4G63AFR-PBJ द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-H9A | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| CAS लेटेंसी | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TC) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |