H5TC4G63CFR-H9A vs H5TC4G63CFR-H9J तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-H9A द्वारा SK hynix और H5TC4G63CFR-H9J द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9J
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
पैकेज 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Number of Terminals 96 96
Package Shape RECTANGULAR —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes Yes
हैलोजन फ्री Yes Yes
डेटा दर [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] —
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes Yes
DM (Data Mask) Yes —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Temperature Grade — Industrial
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
Data Mask (DM) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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