H5TC4G63CFR-H9A vs H5TC4G63CFR-H9J Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix et H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9J
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $6,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Boîtier 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Number of Terminals 96 96
Package Shape RECTANGULAR —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
Débit de données [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes Yes
DM (Data Mask) Yes —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Temperature Grade — Industrial
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
Data Mask (DM) — Yes

Fiches techniques et ressources

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