H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-G7A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63MFR-PBA द्वारा SK hynix और H5TC4G63AFR-G7A द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | CMOS |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 95°C (case) |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable (e.g., 11) |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |