IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7L006ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7N006ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
पैकेज PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-43
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 5 (trench)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS स्थिति Compliant —
पिन काउंट 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]

डेटाशीट और संसाधन

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