IPD031N03LGATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD031N03LGATMA1 द्वारा Infineon और BSC034N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD031N03LGATMA1 BSC034N06NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
ऑपरेटिंग तापमान -55 °C to +175 °C (junction) —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C

डेटाशीट और संसाधन

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