IPD30N10S3L34ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD30N10S3L34ATMA1 द्वारा Infineon और BSC077N12NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD30N10S3L34ATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL स्तर | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | 1 |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| पिन काउंट | — | 8 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |