IPD30N10S3L34ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD30N10S3L34ATMA1 מאת Infineon ו BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD30N10S3L34ATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
סוג טרנזיסטור N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C -55C to +150C
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
רמת MSL 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
מספר פינים — 8
סטטוס RoHS — Compliant
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר