IPT007N06NATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT007N06NATMA1 द्वारा Infineon और BSC021N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ सक्रिय
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BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPT007N06NATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (TJ) —
पैकेज PG-HSOF-8-1 (TOLL) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
MSL स्तर MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

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