IPT007N06NATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT007N06NATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC021N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT007N06NATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (TJ) —
پیکیج PG-HSOF-8-1 (TOLL) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
MSL لیول MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں