IPT017N12NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT017N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IPTC017N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT017N12NM6ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (TJ max) |
| पिन काउंट | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 395 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |