IPT017N12NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPT017N12NM6ATMA1 bằng Infineon và IPTC017N12NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPT017N12NM6ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| Hộp | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (TJ max) |
| Số chân | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 395 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |