IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE050N08NM5CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE022N06LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | — |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| पिन काउंट | — | 9 (PG-WHTFN-9) |