IRF5305PBF vs IRF4905PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF5305PBF द्वारा Infineon और IRF4905PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF4905PBF IRF4905PBF - 55V P-Channel 74A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905PBF - 55V P-Channel 74A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF5305PBF IRF4905PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 110 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 60 mOhm (typical) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 120 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Turn-On Delay Time (td(on)) [DATA_NEEDED: td(on)] —
Turn-Off Delay Time (td(off)) [DATA_NEEDED: td(off)] —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab) TO-220AB (through-hole)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Lead-Free Plating (PBF suffix) Yes (Pb-free) —
RoHS स्थिति Compliant —
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
MSL स्तर — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध